Дистанционное обучение по специальности Оператор прецизионной фотолитографии

Обучение по направлению: Оператор прецизионной фотолитографии

Характеристика работ. Подготовка пластин кремния, заготовокмасок, ситалловых, керамических, металлических и стеклянных пластин смаскирующим слоем перед нанесением светочувствительного покрытия (обезжириваниеи декапирование, промывка, сушка). Нанесение и сушка светочувствительногопокрытия; контроль качества выполненной работы (оценка клина проявления,неровности края, замеры линейных размеров с помощью микроскопа МИИ-4). Сушказаготовок в термостате. Удаление светочувствительного покрытия в случаенеобходимости. Формирование партии пластин для обработки на автоматизированномоборудовании. Разбраковка изделий по параметру неплоскостности, по внешнемувиду, по номеру фотолитографии, по типономиналу. Химическая очистка и мытьепосуды. Приготовление хромовой смеси.

Должен знать: наименование и назначение важнейших частей ипринцип действия обслуживаемого оборудования (центрифуга, ванна, сушильныйшкаф); назначение и условия применения специальных приспособлений и приборовдля контроля процесса; основные свойства фоторезистов; назначение и работумикроскопов; состав и основные свойства светочувствительных эмульсий, правилахранения и использования их; основные химические свойства применяемыхматериалов.

Примеры работ

1. Детали листовые декоративные из меди и медных сплавов -изготовление методом фотохимического травления.

2. Заготовки масок - обезжиривание, декапирование,промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя.

3. Заготовки печатных плат - зачистка, декапирование, промывание,сушка.

4. Заготовки пластин, прокладки, изготовленные методомфотохимфрезерования - обезжиривание, сушка.

5. Маски, пластины, фотошаблоны - промывание, сушка,нанесение светочувствительного слоя, задубливание фотослоя.

6. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол"- сушка и полимеризация фоторезиста.

7. Микросхемы пленочные и металлизированные фотошаблоны -изготовление фотохимическим методом.

8. Пластины полупроводниковые и диэлектрические, ферриты -обезжиривание, декапирование, промывание, сушка.

9. Подложки ситалловые - снятие фоточувствительного слоя.

10. Стекла 700 x 700 x 3 - очистка и обработка ацетоном,полив вручную гравировальной жидкостью.

§ 83. Оператор прецизионной фотолитографии 3-го разряда

Характеристика работ. Проведение фотолитографическихопераций по совмещению элементов рисунка топологии схемы на пластине ссоответствующими элементами на фотошаблоне с точностью +/- 5 мкм на установкахсовмещения и экспонирования. Экспонирование, проявление и задубливаниефотослоя, а также травление различных материалов (окиси кремния, металлов имногокомпонентных стекол, включая многослойные структуры из различных металлов)по заданным в технологии режимам. Контроль качества травления. Термообработка,отмывка фотошаблонов в процессе их эксплуатации. Приготовление растворов дляпроявления, травления. Фильтрация фоторезиста. Снятие фоторезиста в кислотах,органических растворителях. Защита поверхности пластин пассивирующей пленкой.Контроль качества клина, проявления и травления на микроскопах. Измерениевязкости фоторезиста.

Должен знать: назначение, устройство, правила и способыподналадки оборудования, приспособлений и инструмента (микроскопов,ультрафиолетовой и инфракрасной ламп, термостата, контактных термометров ивискозиметров); режимы проявления фотослоев; технологические приемы травленияразличных материалов (окись кремния, металлы и др.); подбор времениэкспонирования и травления; основные свойства фоточувствительных эмульсий и ихкомпонентов.

Примеры работ

1. Заготовки масок, ферритовые металлизированные пластины -получение копии изображения схемы (экспонирование, проявление, дубление,окрашивание, промывание и т.д.).

2. Маски биметаллические - изготовление методомфотохимического травления.

3. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол"- нанесение фоторезиста; проявление изображения; удаление фоторезиста.

4. Микротрасформаторы планарные - проведениепоследовательного ряда фотохимических операций.

5. Пластины - нанесение фоторезиста; ретушь фоторезиста всоляной кислоте.

6. Пластины кремния - нанесение, сушка, совмещениенекритичных фотогравировок; экспонирование, проявление, задубливание фотослоя.

7. Платы печатные и пластины, изготовляемые методомфотохимфрезерования - проявление и удаление фоторезиста.

8. Пленочные схемы СВЧ - проведение циклафотолитографических операций.

9. Подложки ситалловые - травление, экспонирование.

§ 84. Оператор прецизионной фотолитографии 4-го разряда

Характеристика работ. Проведение всего циклафотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностьюсовмещения +/- 2 мкм. Травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложныхстекол (ФСС, БСС). Подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования,проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределахтехнологической документации. Отмывка фотошаблонов, нанесение, сушкафоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях.Определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощьюпрофилографа, профилометра. Определение адгезии фоторезиста и плотностипроколов с помощью соответствующих приборов. Замер линейных размеров элементовпод микроскопом. Совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям иэлементам. Определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессеэксплуатации. Ретушь копии схемы с помощью микроскопа. Аттестациягеометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощьюмикроскопов с точностью +/- 3 мкм, на фотошаблоне - с точностью +/- 0,2 мкм.Проведение процесса двухсторонней фотолитографии. Определение неисправностей вработе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению.

Должен знать: устройство, правила наладки и проверки наточность поддержания технологических режимов всех установок автоматов, входящихв технологическую линию фотолитографии; правила настройки микроскопов; способыприготовления и корректирования проявляющих и других растворов; последовательностьтехнологического процесса изготовления изделий (транзистора, твердой схемы);причины изменения размеров элементов, неровности краев, недостаточной ихрезкости и методы их устранения; фотохимический процесс проявленияфоточувствительных эмульсий; способы определения дефектов на эталонных ирабочих фотошаблонах; основы электротехники, оптики и фотохимии.

Примеры работ

1. Диоды, ВЧ-транзисторы, фотошаблоны с размерами элементовболее или равными 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.

2. Заготовки масок - электрохимическое никелирование.

3. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полногоцикла фотохимических операций при изготовлении.

4. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол"- проведение процессов экспонирования с предварительным совмещением, травление.

5. Микросхемы - проведение полного цикла фотохимическихопераций при изготовлении.

6. Пластина - проведение полного цикла фотолитографическихопераций, защита фоторезистом; непланарная сторона пластины - защита.

7. Пластины, фотошаблоны после фотолитографии - контролькачества поверхности под микроскопом МБС.

8. Пластины ИС с размерами элементов более 10 мкм -контроль качества проявления, травления.

9. Платы печатные, микросхемы СВЧ - травление.

10. Подложки, подложки ситалловые, микросхемы СВЧ -нанесение фоторезиста с помощью центрифуги с контролем оборотов по графику;определение толщины слоя фоторезиста.

11. Поликремний - проведение полного цикла фотолитографии.

12. Проведение процесса фотолитографии для получения рельефаиз напыленных металлов: ванадий + молибден + алюминий с предварительнымсовмещением заданной точности.

13. Проекционная фотолитография - подбор экспозиции ирезкости на установках проекционной фотолитографии.

14. Сетки мелкоструктурные - изготовление методомфотолитографии.

15. Сетки молибденовые и вольфрамовые - травление.

16. Теневая маска для цветных кинескопов - контролькачества отверстий и поверхности под микроскопом; исправление дефектов подмикроскопом.

17. Фотошаблоны эталонные - изготовление.

18. Фотошаблоны - контроль качества поверхности подмикроскопом МБС или МБИ-11; контроль размеров на соответствие с паспортнымиданными под микроскопом МИИ-4.

§ 85. Оператор прецизионной фотолитографии 5-го разряда

Характеристика работ. Проведение фотолитографическихопераций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией иассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих изполупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами;выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей,требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций намногослойных структурах с размерами элементов менее 1 мкм с точностьюсовмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведенияфотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемыхматериалов и результатов выполнения технологических операций, с которыхпоступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения+/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочейповерхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплектаэталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблоновна микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачноститеневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качествафотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерностикрая, контроль соответствия топологии на пластине конструкторскойдокументации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процессафотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветногокинескопа.

Должен знать: конструкцию, механическую, электрическую иоптическую схемы установок совмещения различных моделей; правила определениярежимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых исовмещенных микросхем; правила настройки и регулированияконтрольно-измерительных приборов; принцип действия и правила работы наустановке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре,денситометре; способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения;основы физико-химических процессов фотолитографического получения микросхем.

Примеры работ

1. Магнитные интегральные схемы - проведение полного циклафотолитографических операций.

2. Маски теневые и совмещенные микросхемы - проведениеполного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкойрежимов работы.

3. Пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерамиэлементов менее 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.

4. Пластины, изготавливаемые методом химфрезерования, -вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контрольготовых пластин.

5. Платы печатные и пластины, изготавливаемые методомхимфрезерования - нанесение фоторезиста на заготовку с определениемравномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещениемфотошаблона.

6. Транзистор, диоды - совмещение с точностью от 2 мкм иболее.

7. Фоторезист - фильтрация через специальныеприспособления.

8. Фотошаблоны - контроль качества под микроскопом сразбраковкой по 5 - 10 параметрам; изготовление на фотоповторителях.

9. Фотошаблоны рабочие и эталонные - определение рассовмещениякомплекта на установке сравнения фотошаблонов.

10. Фотошаблоны эталонные - подготовка к контактной печати.

§ 86. Оператор прецизионной фотолитографии 6-го разряда

Характеристика работ. Проведение всего циклафотолитографических операций по изготовлению микросхем и пластин различныхтипов с размерами элементов менее 5 мкм и точностью совмещения +/- 0,5 мкм.Обслуживание всех видов установок совмещения, применяемых в прецизионнойфотолитографии. Контроль качества проявленного и травленного рельефа, работа совсеми видами фоторезисторов (негативным и позитивным) с применением любых типовламп ультрафиолетового свечения; самостоятельный подбор и корректировка режимовработы. Выявление и устранение причин, вызывающих низкое качество фотошаблонов впроцессе их изготовления. Аттестация геометрических размеров элементов на маскес помощью микроскопов с точностью +/- 1 мкм. Изготовление сложных фотокопиймасок и растров на пластинках из металла марки МП95-9 и стекла путемнегативного и позитивного копирования с точностью совмещения оригиналов до 1 -2 мкм.

Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки наточность оборудования прецизионной фотолитографии различных типов; химические ифизические свойства реагентов и материалов, применяемых в работе; методыопределения последовательности и режимов фотолитографических процессов длямикросхем, дискретных приборов различной сложности; расчеты, связанные свыбором оптимальных режимов ведения процесса прецизионной фотолитографии;методы определения пленок на интерферометрах.

Требуется среднее профессиональное образование.

Примеры работ

1. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полногоцикла фотохимических операций при изготовлении.

2. Пластины БИС, СБИС, транзисторов, СВЧ-транзисторов сразмерами элементов менее 5 мкм - контроль после задубливания, травления,фотолитографии; классификация по видам брака.

3. Фотошаблоны образцовые прецизионные - изготовлениеопытных партий.

4. Фотошаблоны эталонные - определение пригодностиизготовленного комплекта для производства рабочих копий.

§ 87. Оператор прецизионной фотолитографии 7-го разряда

Характеристика работ. Проведение полного циклафотолитографического процесса по изготовлению сверхбольших интегральных схем(СБИС) с размерами элементов 2 мкм, точностью совмещения +/- 0,15 мкм иразмером рабочего модуля 10 x 10 мм. Обслуживание установок совмещения имультипликации всех типов, установок нанесения и сушки, проявления и задубливанияфоторезиста на линии типа Лада-150 с программным управлением. Ввод коррекции насовмещение слоев, оценка значения масштаба и разворота на проекционной печати,качества совмещения внутри модуля и по полю пластины. Ввод рабочих программ дляобеспечения автоматического режима работы оборудования. Определение дефектностифоторезиста и локализация узла оборудования, генерирующего дефекты. Измерениелинейных размеров на автоматическом измерителе типа "Zeltz". Входнойконтроль металлизированного промежуточного оригинала (МПО), подготовка его кработе, сборка и выдача в работу с двухсторонней защитой пелликлом.

Должен знать: конструкцию и принцип работыфотолитографического оборудования с программным управлением; правилапользования автоматической системой управления движением пластин; методыкорректировки технологических режимов формирования фоторезистивных покрытий порезультатам контроля основных характеристик фоторезиста и лака.

Требуется среднее профессиональное образование.

Примеры работ

1. Металлизированные промежуточные оригиналы (МПО) -изготовление пробных отсъемов; контроль совмещаемости слоев.

2. Пластины СБИС с размером элементов 2 мкм - проведениеполного технологического цикла фотолитографических операций и контроль качествавыполнения их перед проведением плазмохимических процессов.

3. Рамка контактная - проведение полного циклафотолитографических операций.

4. Шаблоны пленочные с допуском несовмещения 15 мкм -проведение полного технологического цикла фотолитографических операций.

Комментарии к профессии

Приведенные тарифно-квалификационные характеристики профессии «Оператор прецизионной фотолитографии» служат для тарификации работ и присвоения тарифных разрядов согласно статьи 143 Трудового кодекса Российской Федерации. На основе приведенных выше характеристик работы и предъявляемых требований к профессиональным знаниям и навыкам составляется должностная инструкция оператора прецизионной фотолитографии, а также документы, требуемые для проведения собеседования и тестирования при приеме на работу. При составлении рабочих (должностных) инструкций обратите внимание на общие положения и рекомендации к данному выпуску ЕТКС (см. раздел «Введение»).

Обращаем ваше внимание на то, что одинаковые и схожие наименования рабочих профессий могут встречаться в разных выпусках ЕТКС. Найти схожие названия можно через справочник рабочих профессий (по алфавиту).